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产品详情
变温霍尔效应测试仪器 MMR K2500
MMR Hall Effect Measurement System
controlled continuously variable temperature
MMR可控连续变温霍尔效应测试系统
产品简介
MMR Hall Effect Measurement System
controlled continuously variable temperature
MMR可控连续变温霍尔效应测试系统
产品特点
- 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
- 测试范围： Si， SiGe， SiC， GaAs， InGaAs， InP， GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
- 磁场强度：0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择
- 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K
- 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm
- 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms
- 载流子浓度：102~1022cm-3
- 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
产品优点
- 采用van der Pauw法测试;
- 可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个;
- 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制，永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出;
- 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;
- 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;
- 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，**变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试
- 允许在一定气体环境下测试
- 提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率
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